西电团队突破第三代半导体热管理技术瓶颈，推动产业化进程

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队在宽禁带半导体器件热管理技术领域取得新进展，发表于国际期刊的综述文章系统总结了器件级热管理技术的最新研究成果，包括内部结构优化、外部冷却策略等全链条技术体系，并提出新型固态主动冷却、热电制冷单元等未来研究方向。研究受国家自然科学基金等项目支持，旨在解决高功率场景下的散热难题，推动第三代半导体产业化进程。同时，年度国际第三代半导体产业论坛定于2025年11月在厦门召开。