我国第三代半导体迎关键技术突破 氮化镓激光器研发取得新进展

苏州纳米所与中国科学院团队成功研制出氮化镓（GaN）基光子晶体面发射激光器（PCSEL），实现室温电注入激射，激射波长415nm，阈值电流21.96A，峰值功率170mW。该技术突破填补国内空白，与日本技术处于同一梯队。研究团队计划通过优化材料和工艺进一步提升功率。同时，行业盛会IFWS & SSLCHINA 2025将于11月在厦门召开，将展示第三代半导体最新成果并评选年度技术进展。