武大西电攻克氮化镓外延难题，推动第三代半导体异构集成发展

武汉大学与西安电子科技大学合作攻克范德华外延氮化镓高质量成核与生长难题，成功制备4英寸高质量超薄GaN异质外延材料，器件性能达到国际先进水平。该技术突破解决了氮化物宽禁带半导体异构集成的关键障碍，为高性能器件跨材料集成提供新路径。同时，2025年第三代半导体产业国际盛会定档11月厦门召开，将推动技术交流与产业合作。