力冠突破12英寸SiC液相法长晶技术 国产替代再进一步
2025-07-08

第
第三代半导体
弱中性
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山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉,该技术相比主流PVT法在生长速率、能耗、缺陷控制等方面具有显著优势,有助于提升国产半导体装备竞争力。公司产品已实现8英寸设备量产,并具备自主知识产权,市场占有率高且出口海外。同时,年度国际第三代半导体产业论坛将于11月在厦门召开,将推动行业技术交流与合作。


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