天岳先进斩获国际半导体金奖，彰显碳化硅技术全球领先地位

天岳先进在第31届半导体年度奖中荣获「半导体电子材料」类金奖，这是中国企业首次在该奖项中获奖，也是碳化硅衬底材料技术首次获此殊荣。其在碳化硅衬底材料领域的技术突破，包括大尺寸化制备和性能提升，得到国际权威认可，标志着中国在半导体材料领域实现重大进展。公司表示将以此为新起点，加速构建全球核心竞争力。