国产InP材料加速突破，新易盛迎国产替代新机遇

磷化铟（InP）材料市场年复合增长13.5%，国产替代进程加速。新易盛作为国内光模块厂商，正参与25G DFB光器芯片国产化验证，2024年国产化率目标提升至20%。国内企业如华芯晶电、云南锗业在InP衬底技术上取得突破，但高端6英寸衬底仍依赖进口，面临技术瓶颈与国际竞争。政策支持和资本投入推动产业进步，但设备依赖进口、技术封锁风险及产能过剩可能影响发展。