三星引入ASML先进光刻机加速2nm芯片量产布局
2025-03-13

光
光刻机
弱中性
加自选
ASML计划推出High-NA EUV光刻机EXE:5000,分辨率达到24.88nm,预计助力2nm制程技术发展。High-NA EUV光刻机对2nm芯片制造至关重要,可能推动相关企业技术进步和市场份额增长。
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